3.檢驗項目、指定資料及測試規定
3.1 WCDMA FDD
3.1.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶（f-│Tx：1920 MHz–1980 MHz │ │ │
│ │requency ba-│Rx：2110 MHz–2170 MHz │ │ │
│ │nds） │收發頻率間隔：190 MHz │ │ │
│ │收發頻率間隔│標稱頻道間隔：5 MHz │ │ │
│ │標稱頻道間隔│ │ │ │
│ │（channel s-│ │ │ │
│ │pacing） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1：33dBm+1/-│ │ │
│ │功率（maxim-│3dB │ │ │
│ │um outputpo-│Power class 2：27dBm+1/-│ │ │
│ │wer） │3dB │ │ │
│ │ │Power class 3：24dBm+1/-│ │ │
│ │ │3dB │ │ │
│ │ │Power class 4：21dBm+2/-│ │ │
│ │ │2dB │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±0.1 PPM 之內 │ │ │
│ │（frequency │ │ │ │
│ │error） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-50 dBm （in one │ │ │
│ │下之最小平均│time slot） │ │ │
│ │輸出功率 │ │ │ │
│ │（minimum c-│ │ │ │
│ │ontrolled o-│ │ │ │
│ │utput power │ │ │ │
│ │） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │佔用頻道頻寬│≦5 MHz │ │ │
│ │（occupied │ │ │ │
│ │bandwidth） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │發射頻譜波罩│符合表一之一 │ │ │
│ │（spectrum │ │ │ │
│ │emissions m-│ │ │ │
│ │ask） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │鄰頻道洩漏功│鄰頻道偏移±5 MHz： │ │ │
│ │率比 │鄰頻道洩漏功率限制 33 dB│ │ │
│ │（ACLR） │； │ │ │
│ │（Power cla-│鄰頻道偏移±10 MHz： │ │ │
│ │ss 3,4） │鄰通道洩漏功率限制 43 dB│ │ │
│ │ │； │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │混附波輻射 │符合表一之二及表一之三 │ │ │
│ │（spurious │ │ │ │
│ │emission） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │電磁相容（E-│符合 CNS13438 或 3GPP T-│ │ │
│ │MC） │S3 4.124 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式（輻射干擾）及充電│ │ │
│ │ │模式（電源端傳導干擾，無│ │ │
│ │ │此模式者則免測）下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│電氣安全（S-│符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │afety） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│手機端連接介│（1） 電性要求：符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 或│ │ │
│ │ │ （B） 之規定： │ │ │
│ │ │ （A）手機端插座： │ │ │
│ │ │ 符合 CNS15285 附│ │ │
│ │ │ 錄 A 之 micro-B│ │ │
│ │ │ 或 micro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭：符合 CNS 152│ │ │
│ │ │ 85 附錄 A 之 m│ │ │
│ │ │ icro-B，連接介面│ │ │
│ │ │ 接點 1 為 VBUS │ │ │
│ │ │ 及接點 5 為 GND│ │ │
│ │ │ （B）手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ （A） 之規定，應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │（3） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF（Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um，通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇）技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ，並須包含（A） │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│12│充電器端連接│（1） 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ ：符合 │ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A │ │ │
│ │ │ 之 STD-A │ │ │
│ │ │ 電性要求：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.2 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）機械性要求：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓：依 C│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│13│充電線 │（1） STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）電性要求： │ │ │
│ │ │ 電壓降：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 │ │ │
│ │ │ 線彎曲：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ ：符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻：│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m 充電線線材之│ │ │
│ │ │ 防火類別等級：至│ │ │
│ │ │ 少應在 VW-1 以上│ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│14│充電器電性要│（1） 輸入電性：符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │（2） 輸出電壓：應為 5V-│ │ │
│ │ │ dc，許可差為±5 ％│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗，檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │（3） 輸出電性：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │（4） 逆向電流：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.0│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │（5） 無載消耗功率：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │（6） 平均效率：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註：1.檢驗項目 2，3，4，5，6，7 及 8 項之測試頻道為低、中
、高三個頻道，測試方法依據 3 GPP TS34.121、TS34.124
最新版本之相關規定。
2.檢驗項目 9 及 10 項，申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機（以下簡稱手機）應附充電器及充電線組
併同送檢，並符合檢驗項目 9 至 14；但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組，得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 12 至 14；非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 11 至 14。
3.1.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR（最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值）：≦ 2.0 W/Kg （│測試報告及│
│ │SAR （非手持│10 g） │測試數據 │
│ │式免驗） │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容：「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響，請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式：設備本體適當│，申請者須│
│ │ │位置標示，且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容：「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg；送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為：____W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式：設備本體適當│ │
│ │ │位置標示，且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP 認可規定之驗│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│證機構核發設備驗證合格│GPP 標準編│
│ │件影本 │文件影本 │號及驗證領│
│ │ │ │域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註：1.上述國家通訊傳播委員會指定資料，係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率（SAR, Specific Absorption Rate） 之標準值係
採用中華民國國家標準（CNS 14959） ：時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值（300GHz 以下），並採用中華民國國
家標準（CNS14958-1）：人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場－人體模型、儀器及程序－第 1 部：使用時靠
近耳朵之手持式裝置（頻率介於 300 MHz 至 3 GHz）之比
吸收率（SAR） 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1
及 IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。
3.2 WCDMA TDD
3.2.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶 │1915 MHz–1920 MHz │ │ │
│ │（frequency │2010 MHz–2025 MHz │ │ │
│ │bands） │頻道間隔：5 MHz （3.84M-│ │ │
│ │標稱頻道間隔│ cps TDD Option│ │ │
│ │（channel s-│ ）或 │ │ │
│ │pacing） │ 1.6 MHz （1.28│ │ │
│ │ │ Mcps TDD Opti-│ │ │
│ │ │ on） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1：30 dBm +1│ │ │
│ │功率 │/-3dB │ │ │
│ │（maximum o-│Power class 2：24 dBm +1│ │ │
│ │utput power │/-3dB │ │ │
│ │） │Power class 3：21 dBm +2│ │ │
│ │ │/-2dB │ │ │
│ │ │Power class 4：10 dBm +4│ │ │
│ │ │/-4dB │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±0.1 PPM 之內 │ │ │
│ │（frequency │ │ │ │
│ │error） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-44 dBm （3.84 Mcps T-│ │ │
│ │下之最小平均│DD Option） │ │ │
│ │輸出功率 │≦-49 dBm （1.28 Mcps T-│ │ │
│ │（minimum c-│DD Option） │ │ │
│ │ontrolled o-│（in one time slot excl-│ │ │
│ │utput power │uding the guard period）│ │ │
│ │） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │佔用頻道頻寬│≦5 MHz （3.84 Mcps TDD │ │ │
│ │（occupied │Option） │ │ │
│ │bandwidth） │≦1.6 MHz （1.28 Mcps TD│ │ │
│ │ │D Option） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │發射頻譜波罩│符合表二之一（3.84Mcps T│ │ │
│ │（spectrum e│DD Option） │ │ │
│ │missions ma-│符合表二之二（1.28Mcps T│ │ │
│ │sk） │DD Option） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │鄰頻道洩漏功│鄰頻道偏移 ±5 MHz（3.84│ │ │
│ │率比（ACLR）│Mcps）： │ │ │
│ │（Power cla-│鄰頻道偏移 ±1.6 MHz（1.│ │ │
│ │ss 2,3） │28 Mcps） ： │ │ │
│ │ │鄰頻道洩漏功率限制 33 dB│ │ │
│ │ │； │ │ │
│ │ │鄰頻道偏移 ±10 MHz （3.│ │ │
│ │ │84 Mcps） ： │ │ │
│ │ │鄰頻道偏移 ±3.2 MHz（1.│ │ │
│ │ │28 Mcps） ： │ │ │
│ │ │鄰通道洩漏功率限制 43 dB│ │ │
│ │ │； │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │混附波輻射 │符合表二之三及表二之四 │ │ │
│ │（spurious │ │ │ │
│ │emission） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │電磁相容（EM│符合 CNS13438 或 3GPP TS│ │ │
│ │C） │34.124 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式（輻射干擾）及充電│ │ │
│ │ │模式（電源端傳導干擾，無│ │ │
│ │ │此模式者則免測）下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│電氣安全（S-│符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │afety） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│手機端連接介│（1） 電性要求：符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 或│ │ │
│ │ │ （B） 之規定： │ │ │
│ │ │ （A）手機端插座：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A│ │ │
│ │ │ 之 micro-B 或 m│ │ │
│ │ │ icro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭：符合 CNS1528│ │ │
│ │ │ 5 附錄 A 之 mic│ │ │
│ │ │ ro-B，連接介面接│ │ │
│ │ │ 點 1 為 VBUS 及│ │ │
│ │ │ 接點 5 為 GND │ │ │
│ │ │ （B）手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ （A） 之規定，應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │（3） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF（Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um，通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇）技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ，並須包含（A） │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│12│充電器端連接│（1） 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ ：符合 CNS15285 附│ │ │
│ │ │ 錄 A 之 STD-A │ │ │
│ │ │ 電性要求：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.2 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）機械性要求：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓：依 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│13│充電線 │（1） STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）電性要求： │ │ │
│ │ │ 電壓降：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 │ │ │
│ │ │ 線彎曲：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ ：符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻：│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m │ │ │
│ │ │ 充電線線材之防火│ │ │
│ │ │ 類別等級：至少應│ │ │
│ │ │ 在 VW-1 以上 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│14│充電器電性要│（1） 輸入電性：符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │（2） 輸出電壓：應為 5Vd│ │ │
│ │ │ c ，許可差為±5 ％│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗，檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │（3） 輸出電性：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │（4） 逆向電流：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │（5） 無載消耗功率：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │（6） 平均效率：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註：1.檢驗項目 2,3,4,5,6,7 及 8 項之測試頻道為低、中、高
三個頻道，測試方法依據 3GPP TS34.122、TS34.124 最新
版本之相關規定。
2.檢驗項目 9 及 10 項，申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機（以下簡稱手機）應附充電器及充電線組
併同送檢，並符合檢驗項目 9 至 14；但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組，得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 12 至 14；非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 11 至 14。
3.2.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR（最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值）：≦ 2.0 W/Kg （│測試報告及│
│ │SAR （非手持│10 g） │測試數據 │
│ │式免驗） │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容：「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響，請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式：設備本體適當│，申請者須│
│ │ │位置標示，且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容：「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg；送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為：______W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式：設備本體適當│ │
│ │ │位置標示，且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP 認可規定之驗│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│證機構核發設備驗證合格│GPP 標準編│
│ │件影本 │文件影本 │號及驗證領│
│ │ │ │域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註：1.上述國家通訊傳播委員會指定資料，係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率（SAR, Specific Absorption Rate） 之標準值係
採用中華民國國家標準（CNS 14959） ：時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值（300 GHz 以下），並採用中華民國國
家標準（CNS14958-1）：人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場－人體模型、儀器及程序－第 1 部：使用時靠
近耳朵之手持式裝置（頻率介於 300 MHz 至 3 GHz）之比
吸收率（SAR） 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1
及 IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。
3.3 CDMA2000 FDD 之Band Class 0
3.3.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶 │Tx：824 MHz –849 MHz （│ │ │
│ │（frequency │ Band Class 0） │ │ │
│ │bands） │Rx：869 MHz –894 MHz │ │ │
│ │收發頻率間隔│收發頻率間隔：45 MHz │ │ │
│ │頻道間隔 │頻道間隔：1.23 MHz （S-│ │ │
│ │（channel s-│ preading Rate │ │ │
│ │pacing） │ 1） 或 │ │ │
│ │ │ 3.69 MHz（Spr-│ │ │
│ │ │ eading Rate 3 │ │ │
│ │ │ ） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1 ：1 dBW（│ │ │
│ │功率 │1.25 W）～8 dBW （6.3 W │ │ │
│ │（maximum o-│） │ │ │
│ │utput power │Power class 2 ：-3 dBW（│ │ │
│ │）（ERP） │0.5 W） ～4 dBW （2.5 W │ │ │
│ │ │） │ │ │
│ │ │Power class 3 ：-7 dBW（│ │ │
│ │ │0.2 W） ～0 dBW （1.0 W │ │ │
│ │ │） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±300Hz 之內 │ │ │
│ │（frequency │ │ │ │
│ │error） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-50 dBm/1.23 MHz（Spr-│ │ │
│ │下之最小平均│eading Rate 1） │ │ │
│ │輸出功率 │≦-50 dBm/3.69 MHz（Spr-│ │ │
│ │（minimum c-│eading Rate 3） │ │ │
│ │ontrolled o-│ │ │ │
│ │utput power │ │ │ │
│ │） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │混附波輻射 │Spreading Rate 1： │ │ │
│ │（Conducted │符合 A 類或 B 類規範值│ │ │
│ │spurious em-│表三之一 │ │ │
│ │ission） │Spreading Rate 3： │ │ │
│ │ │符合 A 類或 B 類規範值│ │ │
│ │ │表三之二 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │電磁相容（E-│符合 CNS13438、FCC PART │ │ │
│ │MC） │15 subpart B 或 CISPR 2 │ │ │
│ │ │2 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式（輻射干擾）及充電│ │ │
│ │ │模式（電源端傳導干擾，無│ │ │
│ │ │此模式者則免測）下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │電氣安全（S-│符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │afety） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │手機端連接介│（1） 電性要求：符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 或│ │ │
│ │ │ （B） 之規定： │ │ │
│ │ │ （A）手機端插座：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A│ │ │
│ │ │ 之 micro-B 或 m│ │ │
│ │ │ icro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭：符合 CNS1528│ │ │
│ │ │ 5 │ │ │
│ │ │ 附錄 A 之 micro│ │ │
│ │ │ -B，連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點│ │ │
│ │ │ 5 為 GND │ │ │
│ │ │ （B）手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ （A） 之規定，應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │（3） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF（Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um，通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇）技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ，並須包含（A） │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │充電器端連接│（1） 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ ：符合 CNS15285 附│ │ │
│ │ │ 錄 A 之 STD-A │ │ │
│ │ │ 電性要求：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.2 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）機械性要求：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓：依 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│充電線 │（1） STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）電性要求： │ │ │
│ │ │ 電壓降：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 線彎曲：│ │ │
│ │ │ 符合 CNS15285 標│ │ │
│ │ │ 準規範 A4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ ：符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻：│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m │ │ │
│ │ │ 充電線線材之防火│ │ │
│ │ │ 類別等級：至少應│ │ │
│ │ │ 在 VW-1 以上 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│充電器電性要│（1） 輸入電性：符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │（2） 輸出電壓：應為 5Vd│ │ │
│ │ │ c ，許可差為±5 ％│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗，檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │（3） 輸出電性：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │（4） 逆向電流：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │（5） 無載消耗功率：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │（6） 平均效率：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註：1.檢驗項目 2,3,4 及 5 項之測試頻道為低、中、高三個頻
道，測試方法依據 3GPP2 C.S0011-A 最新版本之相關規定
。
2.檢驗項目 6 及 7 項，申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機（以下簡稱手機）應附充電器及充電線組
併同送檢，並符合檢驗項目 6 至 11；但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組，得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 9 至 11；非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 8 至 11。
3.3.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR（最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值）：≦ 2.0 W/Kg （│測試報告及│
│ │SAR （非手持│10 g） │測試數據 │
│ │式免驗） │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容：「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響，請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式：設備本體適當│，申請者須│
│ │ │位置標示，且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容：「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg；送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為：______W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式：設備本體適當│ │
│ │ │位置標示，且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP 認可規定之驗│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│證機構核發設備驗證合格│GPP 標準編│
│ │件影本 │文件影本 │號及驗證領│
│ │ │ │域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註：1.上述國家通訊傳播委員會指定資料，係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率（SAR, Specific Absorption Rate） 之標準值係
採用中華民國國家標準（CNS 14959） ：時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值（300GHz 以下），並採用中華民國國
家標準（CNS14958-1）：人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場－人體模型、儀器及程序－第 1 部：使用時靠
近耳朵之手持式裝置（頻率介於 300MHz 至 3 GHz）之比吸
收率（SAR） 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1 及
IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。
3.4 CDMA2000 FDD 之 Band Class 6
3.4.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶 │Tx：1920 MHz–1980 MHz（│ │ │
│ │（frequency │ Band Class 6） │ │ │
│ │bands） │Rx：2110 MHz–2170 MHz │ │ │
│ │收發頻率間隔│收發頻率間隔：190 MHz │ │ │
│ │頻道間隔 │頻道間隔：1.23 MHz（Spr-│ │ │
│ │（channel s-│ eading Rate 1 │ │ │
│ │pacing） │ ）或 │ │ │
│ │ │ 3.69 MHz（Spr-│ │ │
│ │ │ eading Rate 3 │ │ │
│ │ │ ） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1 ：-2 dBW │ │ │
│ │功率 │（0.63 W）～3 dBW （2.0 │ │ │
│ │（maximum o-│W） │ │ │
│ │utput power │Power class 2 ：-7 dBW │ │ │
│ │）（EIRP） │（0.2 W）～0 dBW （1.0 │ │ │
│ │ │W） │ │ │
│ │ │Power class 3 ：-12 dBW │ │ │
│ │ │（63mW）～-3 dBW（0.5 W │ │ │
│ │ │） │ │ │
│ │ │Power class 4 ：-17 dBW │ │ │
│ │ │（20mW）～-6 dBW （0.25 │ │ │
│ │ │W） │ │ │
│ │ │Power class 5 ：-22 dBW │ │ │
│ │ │（6.3 mW）～-9 dBW（0.1 │ │ │
│ │ │3W） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±150Hz 之內 │ │ │
│ │（frequency │ │ │ │
│ │error） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-50 dBm/1.23 MHz（Spr-│ │ │
│ │下之最小平均│eading Rate 1） │ │ │
│ │輸出功率 │≦-50 dBm/3.69 MHz（Spr-│ │ │
│ │（minimum c-│eading Rate 3） │ │ │
│ │ontrolled o-│ │ │ │
│ │utput power │ │ │ │
│ │） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │佔用頻道頻寬│≦1.48 MHz（Spreading R-│ │ │
│ │ │ate 1） │ │ │
│ │ │≦4.6 MHz （Spreading R-│ │ │
│ │ │ate 3） │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │混附波輻射 │Spreading Rate 1： │ │ │
│ │（Conducted │符合表四之一及表四之三 │ │ │
│ │spurious em-│Spreading Rate 3： │ │ │
│ │ission） │符合表四之二及表四之三 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │電磁相容（E-│符合 CNS13438、FCC PART │ │ │
│ │MC） │15 subpart B 或 CISPR 2│ │ │
│ │ │2 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式（輻射干擾）及充電│ │ │
│ │ │模式（電源端傳導干擾，無│ │ │
│ │ │此模式者則免測）下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │電氣安全 │符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │（Safety） │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │手機端連接介│（1） 電性要求：符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 或│ │ │
│ │ │ （B） 之規定： │ │ │
│ │ │ （A）手機端插座：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A│ │ │
│ │ │ 之 micro-B 或 m│ │ │
│ │ │ icro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭：符合 CNS1528│ │ │
│ │ │ 5 附錄 A 之 mic│ │ │
│ │ │ ro-B，連接介面接│ │ │
│ │ │ 點 1 為 VBUS 及│ │ │
│ │ │ 接點 5 為 GND │ │ │
│ │ │ （B）手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ （A） 之規定，應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │（3） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF（Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um，通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇）技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ，並須包含（A） │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│充電器端連接│（1） 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ ： │ │ │
│ │ │ 符合 CNS15285 附錄│ │ │
│ │ │ A 之 STD-A 電性要│ │ │
│ │ │ 求：符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.2.3.2 │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）機械性要求：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓：依 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容：符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別：至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│充電線 │（1） STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │（2） 須符合下列（A） 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供（B） 之│ │ │
│ │ │ 測試報告： │ │ │
│ │ │ （A）電性要求： │ │ │
│ │ │ 電壓降：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 │ │ │
│ │ │ 線彎曲：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ ：符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻：│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m │ │ │
│ │ │ 充電線線材之防火│ │ │
│ │ │ 類別等級：至少應│ │ │
│ │ │ 在 VW-1 以上 │ │ │
│ │ │ （B）USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告，並須│ │ │
│ │ │ 包含（A） 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│12│充電器電性要│（1） 輸入電性：符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │（2） 輸出電壓：應為 5Vd│ │ │
│ │ │ c ，許可差為±5 ％│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗，檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │（3） 輸出電性：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │（4） 逆向電流：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │（5） 無載消耗功率：符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │（6） 平均效率：符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註：1.檢驗項目 2,3,4,5 及 6 項之測試頻道為低、中、高三個
頻道，測試方法依據 3GPP2 C.S0011-A 最新版本之相關規
定。
2.檢驗項目 7 及 8 項，申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機（以下簡稱手機）應附充電器及充電線組
併同送檢，並符合檢驗項目 7 至 12；但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組，得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 10 至 12；非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 9 至 12。
3.4.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR（最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值）：≦ 2.0 W/Kg （│測試報告及│
│ │SAR （非手持│10 g） │測試數據 │
│ │式免驗） │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容：「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響，請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式：設備本體適當│，申請者須│
│ │ │位置標示，且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容：「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg；送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為：______W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式：設備本體適當│ │
│ │ │位置標示，且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP2 認可規定之│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│驗證機構核發設備驗證合│GPP2 標準│
│ │件影本 │格文件影本 │編號及驗證│
│ │ │ │領域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註：1.上述國家通訊傳播委員會指定資料，係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率（SAR, Specific Absorption Rate） 之標準值係
採用中華民國國家標準（CNS 14959） ：時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值（300 GHz 以下），並採用中華民國國
家標準（CNS14958-1）：人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場－人體模型、儀器及程序－第 1 部：使用時靠
近耳朵之手持式裝置（頻率介於 300 MHz 至 3 GHz）之比
吸收率（SAR） 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1
及 IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。