3.檢驗項目、指定資料及測試規定
3.1 WCDMA FDD
3.1.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶(f-│Tx:1920 MHz–1980 MHz │ │ │
│ │requency ba-│Rx:2110 MHz–2170 MHz │ │ │
│ │nds) │收發頻率間隔:190 MHz │ │ │
│ │收發頻率間隔│標稱頻道間隔:5 MHz │ │ │
│ │標稱頻道間隔│ │ │ │
│ │(channel s-│ │ │ │
│ │pacing) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1:33dBm+1/-│ │ │
│ │功率(maxim-│3dB │ │ │
│ │um outputpo-│Power class 2:27dBm+1/-│ │ │
│ │wer) │3dB │ │ │
│ │ │Power class 3:24dBm+1/-│ │ │
│ │ │3dB │ │ │
│ │ │Power class 4:21dBm+2/-│ │ │
│ │ │2dB │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±0.1 PPM 之內 │ │ │
│ │(frequency │ │ │ │
│ │error) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-50 dBm (in one │ │ │
│ │下之最小平均│time slot) │ │ │
│ │輸出功率 │ │ │ │
│ │(minimum c-│ │ │ │
│ │ontrolled o-│ │ │ │
│ │utput power │ │ │ │
│ │) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │佔用頻道頻寬│≦5 MHz │ │ │
│ │(occupied │ │ │ │
│ │bandwidth) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │發射頻譜波罩│符合表一之一 │ │ │
│ │(spectrum │ │ │ │
│ │emissions m-│ │ │ │
│ │ask) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │鄰頻道洩漏功│鄰頻道偏移±5 MHz: │ │ │
│ │率比 │鄰頻道洩漏功率限制 33 dB│ │ │
│ │(ACLR) │; │ │ │
│ │(Power cla-│鄰頻道偏移±10 MHz: │ │ │
│ │ss 3,4) │鄰通道洩漏功率限制 43 dB│ │ │
│ │ │; │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │混附波輻射 │符合表一之二及表一之三 │ │ │
│ │(spurious │ │ │ │
│ │emission) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │電磁相容(E-│符合 CNS13438 或 3GPP T-│ │ │
│ │MC) │S3 4.124 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式(輻射干擾)及充電│ │ │
│ │ │模式(電源端傳導干擾,無│ │ │
│ │ │此模式者則免測)下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│電氣安全(S-│符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │afety) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│手機端連接介│(1) 電性要求:符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 或│ │ │
│ │ │ (B) 之規定: │ │ │
│ │ │ (A)手機端插座: │ │ │
│ │ │ 符合 CNS15285 附│ │ │
│ │ │ 錄 A 之 micro-B│ │ │
│ │ │ 或 micro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭:符合 CNS 152│ │ │
│ │ │ 85 附錄 A 之 m│ │ │
│ │ │ icro-B,連接介面│ │ │
│ │ │ 接點 1 為 VBUS │ │ │
│ │ │ 及接點 5 為 GND│ │ │
│ │ │ (B)手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ (A) 之規定,應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │(3) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF(Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um,通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇)技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ,並須包含(A) │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│12│充電器端連接│(1) 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ :符合 │ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A │ │ │
│ │ │ 之 STD-A │ │ │
│ │ │ 電性要求:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.2 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)機械性要求:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓:依 C│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│13│充電線 │(1) STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)電性要求: │ │ │
│ │ │ 電壓降:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 │ │ │
│ │ │ 線彎曲:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ :符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻:│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m 充電線線材之│ │ │
│ │ │ 防火類別等級:至│ │ │
│ │ │ 少應在 VW-1 以上│ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│14│充電器電性要│(1) 輸入電性:符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │(2) 輸出電壓:應為 5V-│ │ │
│ │ │ dc,許可差為±5 %│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗,檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │(3) 輸出電性:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │(4) 逆向電流:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.0│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │(5) 無載消耗功率:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │(6) 平均效率:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註:1.檢驗項目 2,3,4,5,6,7 及 8 項之測試頻道為低、中
、高三個頻道,測試方法依據 3 GPP TS34.121、TS34.124
最新版本之相關規定。
2.檢驗項目 9 及 10 項,申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機(以下簡稱手機)應附充電器及充電線組
併同送檢,並符合檢驗項目 9 至 14;但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組,得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 12 至 14;非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 11 至 14。
3.1.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR(最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值):≦ 2.0 W/Kg (│測試報告及│
│ │SAR (非手持│10 g) │測試數據 │
│ │式免驗) │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容:「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響,請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式:設備本體適當│,申請者須│
│ │ │位置標示,且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容:「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg;送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為:____W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式:設備本體適當│ │
│ │ │位置標示,且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP 認可規定之驗│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│證機構核發設備驗證合格│GPP 標準編│
│ │件影本 │文件影本 │號及驗證領│
│ │ │ │域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註:1.上述國家通訊傳播委員會指定資料,係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率(SAR, Specific Absorption Rate) 之標準值係
採用中華民國國家標準(CNS 14959) :時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值(300GHz 以下),並採用中華民國國
家標準(CNS14958-1):人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場-人體模型、儀器及程序-第 1 部:使用時靠
近耳朵之手持式裝置(頻率介於 300 MHz 至 3 GHz)之比
吸收率(SAR) 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1
及 IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。
3.2 WCDMA TDD
3.2.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶 │1915 MHz–1920 MHz │ │ │
│ │(frequency │2010 MHz–2025 MHz │ │ │
│ │bands) │頻道間隔:5 MHz (3.84M-│ │ │
│ │標稱頻道間隔│ cps TDD Option│ │ │
│ │(channel s-│ )或 │ │ │
│ │pacing) │ 1.6 MHz (1.28│ │ │
│ │ │ Mcps TDD Opti-│ │ │
│ │ │ on) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1:30 dBm +1│ │ │
│ │功率 │/-3dB │ │ │
│ │(maximum o-│Power class 2:24 dBm +1│ │ │
│ │utput power │/-3dB │ │ │
│ │) │Power class 3:21 dBm +2│ │ │
│ │ │/-2dB │ │ │
│ │ │Power class 4:10 dBm +4│ │ │
│ │ │/-4dB │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±0.1 PPM 之內 │ │ │
│ │(frequency │ │ │ │
│ │error) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-44 dBm (3.84 Mcps T-│ │ │
│ │下之最小平均│DD Option) │ │ │
│ │輸出功率 │≦-49 dBm (1.28 Mcps T-│ │ │
│ │(minimum c-│DD Option) │ │ │
│ │ontrolled o-│(in one time slot excl-│ │ │
│ │utput power │uding the guard period)│ │ │
│ │) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │佔用頻道頻寬│≦5 MHz (3.84 Mcps TDD │ │ │
│ │(occupied │Option) │ │ │
│ │bandwidth) │≦1.6 MHz (1.28 Mcps TD│ │ │
│ │ │D Option) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │發射頻譜波罩│符合表二之一(3.84Mcps T│ │ │
│ │(spectrum e│DD Option) │ │ │
│ │missions ma-│符合表二之二(1.28Mcps T│ │ │
│ │sk) │DD Option) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │鄰頻道洩漏功│鄰頻道偏移 ±5 MHz(3.84│ │ │
│ │率比(ACLR)│Mcps): │ │ │
│ │(Power cla-│鄰頻道偏移 ±1.6 MHz(1.│ │ │
│ │ss 2,3) │28 Mcps) : │ │ │
│ │ │鄰頻道洩漏功率限制 33 dB│ │ │
│ │ │; │ │ │
│ │ │鄰頻道偏移 ±10 MHz (3.│ │ │
│ │ │84 Mcps) : │ │ │
│ │ │鄰頻道偏移 ±3.2 MHz(1.│ │ │
│ │ │28 Mcps) : │ │ │
│ │ │鄰通道洩漏功率限制 43 dB│ │ │
│ │ │; │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │混附波輻射 │符合表二之三及表二之四 │ │ │
│ │(spurious │ │ │ │
│ │emission) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │電磁相容(EM│符合 CNS13438 或 3GPP TS│ │ │
│ │C) │34.124 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式(輻射干擾)及充電│ │ │
│ │ │模式(電源端傳導干擾,無│ │ │
│ │ │此模式者則免測)下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│電氣安全(S-│符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │afety) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│手機端連接介│(1) 電性要求:符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 或│ │ │
│ │ │ (B) 之規定: │ │ │
│ │ │ (A)手機端插座:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A│ │ │
│ │ │ 之 micro-B 或 m│ │ │
│ │ │ icro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭:符合 CNS1528│ │ │
│ │ │ 5 附錄 A 之 mic│ │ │
│ │ │ ro-B,連接介面接│ │ │
│ │ │ 點 1 為 VBUS 及│ │ │
│ │ │ 接點 5 為 GND │ │ │
│ │ │ (B)手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ (A) 之規定,應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │(3) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF(Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um,通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇)技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ,並須包含(A) │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│12│充電器端連接│(1) 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ :符合 CNS15285 附│ │ │
│ │ │ 錄 A 之 STD-A │ │ │
│ │ │ 電性要求:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.2 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)機械性要求:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓:依 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│13│充電線 │(1) STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)電性要求: │ │ │
│ │ │ 電壓降:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 │ │ │
│ │ │ 線彎曲:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ :符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻:│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m │ │ │
│ │ │ 充電線線材之防火│ │ │
│ │ │ 類別等級:至少應│ │ │
│ │ │ 在 VW-1 以上 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│14│充電器電性要│(1) 輸入電性:符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │(2) 輸出電壓:應為 5Vd│ │ │
│ │ │ c ,許可差為±5 %│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗,檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │(3) 輸出電性:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │(4) 逆向電流:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │(5) 無載消耗功率:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │(6) 平均效率:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註:1.檢驗項目 2,3,4,5,6,7 及 8 項之測試頻道為低、中、高
三個頻道,測試方法依據 3GPP TS34.122、TS34.124 最新
版本之相關規定。
2.檢驗項目 9 及 10 項,申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機(以下簡稱手機)應附充電器及充電線組
併同送檢,並符合檢驗項目 9 至 14;但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組,得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 12 至 14;非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 11 至 14。
3.2.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR(最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值):≦ 2.0 W/Kg (│測試報告及│
│ │SAR (非手持│10 g) │測試數據 │
│ │式免驗) │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容:「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響,請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式:設備本體適當│,申請者須│
│ │ │位置標示,且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容:「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg;送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為:______W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式:設備本體適當│ │
│ │ │位置標示,且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP 認可規定之驗│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│證機構核發設備驗證合格│GPP 標準編│
│ │件影本 │文件影本 │號及驗證領│
│ │ │ │域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註:1.上述國家通訊傳播委員會指定資料,係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率(SAR, Specific Absorption Rate) 之標準值係
採用中華民國國家標準(CNS 14959) :時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值(300 GHz 以下),並採用中華民國國
家標準(CNS14958-1):人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場-人體模型、儀器及程序-第 1 部:使用時靠
近耳朵之手持式裝置(頻率介於 300 MHz 至 3 GHz)之比
吸收率(SAR) 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1
及 IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。
3.3 CDMA2000 FDD 之Band Class 0
3.3.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶 │Tx:824 MHz –849 MHz (│ │ │
│ │(frequency │ Band Class 0) │ │ │
│ │bands) │Rx:869 MHz –894 MHz │ │ │
│ │收發頻率間隔│收發頻率間隔:45 MHz │ │ │
│ │頻道間隔 │頻道間隔:1.23 MHz (S-│ │ │
│ │(channel s-│ preading Rate │ │ │
│ │pacing) │ 1) 或 │ │ │
│ │ │ 3.69 MHz(Spr-│ │ │
│ │ │ eading Rate 3 │ │ │
│ │ │ ) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1 :1 dBW(│ │ │
│ │功率 │1.25 W)~8 dBW (6.3 W │ │ │
│ │(maximum o-│) │ │ │
│ │utput power │Power class 2 :-3 dBW(│ │ │
│ │)(ERP) │0.5 W) ~4 dBW (2.5 W │ │ │
│ │ │) │ │ │
│ │ │Power class 3 :-7 dBW(│ │ │
│ │ │0.2 W) ~0 dBW (1.0 W │ │ │
│ │ │) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±300Hz 之內 │ │ │
│ │(frequency │ │ │ │
│ │error) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-50 dBm/1.23 MHz(Spr-│ │ │
│ │下之最小平均│eading Rate 1) │ │ │
│ │輸出功率 │≦-50 dBm/3.69 MHz(Spr-│ │ │
│ │(minimum c-│eading Rate 3) │ │ │
│ │ontrolled o-│ │ │ │
│ │utput power │ │ │ │
│ │) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │混附波輻射 │Spreading Rate 1: │ │ │
│ │(Conducted │符合 A 類或 B 類規範值│ │ │
│ │spurious em-│表三之一 │ │ │
│ │ission) │Spreading Rate 3: │ │ │
│ │ │符合 A 類或 B 類規範值│ │ │
│ │ │表三之二 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │電磁相容(E-│符合 CNS13438、FCC PART │ │ │
│ │MC) │15 subpart B 或 CISPR 2 │ │ │
│ │ │2 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式(輻射干擾)及充電│ │ │
│ │ │模式(電源端傳導干擾,無│ │ │
│ │ │此模式者則免測)下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │電氣安全(S-│符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │afety) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │手機端連接介│(1) 電性要求:符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 或│ │ │
│ │ │ (B) 之規定: │ │ │
│ │ │ (A)手機端插座:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A│ │ │
│ │ │ 之 micro-B 或 m│ │ │
│ │ │ icro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭:符合 CNS1528│ │ │
│ │ │ 5 │ │ │
│ │ │ 附錄 A 之 micro│ │ │
│ │ │ -B,連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點│ │ │
│ │ │ 5 為 GND │ │ │
│ │ │ (B)手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ (A) 之規定,應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │(3) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF(Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um,通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇)技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ,並須包含(A) │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │充電器端連接│(1) 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ :符合 CNS15285 附│ │ │
│ │ │ 錄 A 之 STD-A │ │ │
│ │ │ 電性要求:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.2 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)機械性要求:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓:依 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│充電線 │(1) STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)電性要求: │ │ │
│ │ │ 電壓降:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 線彎曲:│ │ │
│ │ │ 符合 CNS15285 標│ │ │
│ │ │ 準規範 A4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ :符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻:│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m │ │ │
│ │ │ 充電線線材之防火│ │ │
│ │ │ 類別等級:至少應│ │ │
│ │ │ 在 VW-1 以上 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│充電器電性要│(1) 輸入電性:符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │(2) 輸出電壓:應為 5Vd│ │ │
│ │ │ c ,許可差為±5 %│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗,檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │(3) 輸出電性:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │(4) 逆向電流:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │(5) 無載消耗功率:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │(6) 平均效率:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註:1.檢驗項目 2,3,4 及 5 項之測試頻道為低、中、高三個頻
道,測試方法依據 3GPP2 C.S0011-A 最新版本之相關規定
。
2.檢驗項目 6 及 7 項,申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機(以下簡稱手機)應附充電器及充電線組
併同送檢,並符合檢驗項目 6 至 11;但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組,得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 9 至 11;非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 8 至 11。
3.3.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR(最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值):≦ 2.0 W/Kg (│測試報告及│
│ │SAR (非手持│10 g) │測試數據 │
│ │式免驗) │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容:「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響,請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式:設備本體適當│,申請者須│
│ │ │位置標示,且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容:「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg;送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為:______W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式:設備本體適當│ │
│ │ │位置標示,且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP 認可規定之驗│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│證機構核發設備驗證合格│GPP 標準編│
│ │件影本 │文件影本 │號及驗證領│
│ │ │ │域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註:1.上述國家通訊傳播委員會指定資料,係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率(SAR, Specific Absorption Rate) 之標準值係
採用中華民國國家標準(CNS 14959) :時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值(300GHz 以下),並採用中華民國國
家標準(CNS14958-1):人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場-人體模型、儀器及程序-第 1 部:使用時靠
近耳朵之手持式裝置(頻率介於 300MHz 至 3 GHz)之比吸
收率(SAR) 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1 及
IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。
3.4 CDMA2000 FDD 之 Band Class 6
3.4.1 檢驗項目
┌─┬──────┬────────────┬──┬──┐
│項│ 檢驗項目 │ 合 格 標 準 │檢驗│結果│
│次│ │ │數據│判定│
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│1 │工作頻帶 │Tx:1920 MHz–1980 MHz(│ │ │
│ │(frequency │ Band Class 6) │ │ │
│ │bands) │Rx:2110 MHz–2170 MHz │ │ │
│ │收發頻率間隔│收發頻率間隔:190 MHz │ │ │
│ │頻道間隔 │頻道間隔:1.23 MHz(Spr-│ │ │
│ │(channel s-│ eading Rate 1 │ │ │
│ │pacing) │ )或 │ │ │
│ │ │ 3.69 MHz(Spr-│ │ │
│ │ │ eading Rate 3 │ │ │
│ │ │ ) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│2 │最大發射輸出│Power class 1 :-2 dBW │ │ │
│ │功率 │(0.63 W)~3 dBW (2.0 │ │ │
│ │(maximum o-│W) │ │ │
│ │utput power │Power class 2 :-7 dBW │ │ │
│ │)(EIRP) │(0.2 W)~0 dBW (1.0 │ │ │
│ │ │W) │ │ │
│ │ │Power class 3 :-12 dBW │ │ │
│ │ │(63mW)~-3 dBW(0.5 W │ │ │
│ │ │) │ │ │
│ │ │Power class 4 :-17 dBW │ │ │
│ │ │(20mW)~-6 dBW (0.25 │ │ │
│ │ │W) │ │ │
│ │ │Power class 5 :-22 dBW │ │ │
│ │ │(6.3 mW)~-9 dBW(0.1 │ │ │
│ │ │3W) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│3 │頻率誤差 │±150Hz 之內 │ │ │
│ │(frequency │ │ │ │
│ │error) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│4 │功率控制狀態│≦-50 dBm/1.23 MHz(Spr-│ │ │
│ │下之最小平均│eading Rate 1) │ │ │
│ │輸出功率 │≦-50 dBm/3.69 MHz(Spr-│ │ │
│ │(minimum c-│eading Rate 3) │ │ │
│ │ontrolled o-│ │ │ │
│ │utput power │ │ │ │
│ │) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│5 │佔用頻道頻寬│≦1.48 MHz(Spreading R-│ │ │
│ │ │ate 1) │ │ │
│ │ │≦4.6 MHz (Spreading R-│ │ │
│ │ │ate 3) │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│6 │混附波輻射 │Spreading Rate 1: │ │ │
│ │(Conducted │符合表四之一及表四之三 │ │ │
│ │spurious em-│Spreading Rate 3: │ │ │
│ │ission) │符合表四之二及表四之三 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│7 │電磁相容(E-│符合 CNS13438、FCC PART │ │ │
│ │MC) │15 subpart B 或 CISPR 2│ │ │
│ │ │2 標準規範 │ │ │
│ │ │須待測設備在操作模式、空│ │ │
│ │ │閒模式(輻射干擾)及充電│ │ │
│ │ │模式(電源端傳導干擾,無│ │ │
│ │ │此模式者則免測)下測試 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│8 │電氣安全 │符合 CNS14336-1 標準規範│ │ │
│ │(Safety) │ │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│9 │手機端連接介│(1) 電性要求:符合 CNS│ │ │
│ │面 │ 15285 標準規範 A4.│ │ │
│ │ │ 2.3.1 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 或│ │ │
│ │ │ (B) 之規定: │ │ │
│ │ │ (A)手機端插座:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 附錄 A│ │ │
│ │ │ 之 micro-B 或 m│ │ │
│ │ │ icro-AB │ │ │
│ │ │ 充電線組手機端插│ │ │
│ │ │ 頭:符合 CNS1528│ │ │
│ │ │ 5 附錄 A 之 mic│ │ │
│ │ │ ro-B,連接介面接│ │ │
│ │ │ 點 1 為 VBUS 及│ │ │
│ │ │ 接點 5 為 GND │ │ │
│ │ │ (B)手機端插座未符合│ │ │
│ │ │ (A) 之規定,應│ │ │
│ │ │ 採用轉換連接充電│ │ │
│ │ │ 線組或轉換器 │ │ │
│ │ │(3) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 以上 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF(Univers-│ │ │
│ │ │ al Serial Bus I-│ │ │
│ │ │ mplementers For-│ │ │
│ │ │ um,通用串列匯流│ │ │
│ │ │ 排實施者論壇)技│ │ │
│ │ │ 術規範之測試報告│ │ │
│ │ │ ,並須包含(A) │ │ │
│ │ │ 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│10│充電器端連接│(1) 充電器端插座及充電│ │ │
│ │介面 │ 線組之充電器端插頭│ │ │
│ │ │ : │ │ │
│ │ │ 符合 CNS15285 附錄│ │ │
│ │ │ A 之 STD-A 電性要│ │ │
│ │ │ 求:符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.2.3.2 │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)機械性要求:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.2 │ │ │
│ │ │ 絕緣電阻:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.3 │ │ │
│ │ │ 絕緣耐電壓:依 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.4 │ │ │
│ │ │ 低接點電阻:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規│ │ │
│ │ │ 範 A4.2.3.5 │ │ │
│ │ │ 接點電容:符合 C│ │ │
│ │ │ NS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ A4.2.3.6 │ │ │
│ │ │ 連接介面絕緣材料│ │ │
│ │ │ 之材料類別:至少│ │ │
│ │ │ 應為 V-2 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│11│充電線 │(1) STD-A 連接介面接點│ │ │
│ │ │ 1 為 VBUS 及接點 4│ │ │
│ │ │ 為 GND │ │ │
│ │ │(2) 須符合下列(A) 之│ │ │
│ │ │ 規定或提供(B) 之│ │ │
│ │ │ 測試報告: │ │ │
│ │ │ (A)電性要求: │ │ │
│ │ │ 電壓降:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.3.2 │ │ │
│ │ │ 線彎曲:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 A│ │ │
│ │ │ 4.3.6 │ │ │
│ │ │ 四軸向彎曲連續性│ │ │
│ │ │ :符合 CNS15285 │ │ │
│ │ │ 標準規範 A4.3.7 │ │ │
│ │ │ 導線之最大電阻:│ │ │
│ │ │ 應不超過 0.232Ω│ │ │
│ │ │ /m │ │ │
│ │ │ 充電線線材之防火│ │ │
│ │ │ 類別等級:至少應│ │ │
│ │ │ 在 VW-1 以上 │ │ │
│ │ │ (B)USB-IF 技術規範│ │ │
│ │ │ 之測試報告,並須│ │ │
│ │ │ 包含(A) 項目 │ │ │
├─┼──────┼────────────┼──┼──┤
│12│充電器電性要│(1) 輸入電性:符合 CNS│ │ │
│ │求 │ 15285 標準規範 4.3│ │ │
│ │ │ 及 4.4 │ │ │
│ │ │(2) 輸出電壓:應為 5Vd│ │ │
│ │ │ c ,許可差為±5 %│ │ │
│ │ │ 。依 CNS15285 標準│ │ │
│ │ │ 規範第 5.4 節進行│ │ │
│ │ │ 試驗,檢查是否符合│ │ │
│ │ │ 要求。 │ │ │
│ │ │(3) 輸出電性:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.6│ │ │
│ │ │ 至 4.9 │ │ │
│ │ │(4) 逆向電流:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 0 │ │ │
│ │ │(5) 無載消耗功率:符合│ │ │
│ │ │ CNS15285 標準規範│ │ │
│ │ │ 4.11 │ │ │
│ │ │(6) 平均效率:符合 CNS│ │ │
│ │ │ 15285 標準規範 4.1│ │ │
│ │ │ 2 │ │ │
└─┴──────┴────────────┴──┴──┘
註:1.檢驗項目 2,3,4,5 及 6 項之測試頻道為低、中、高三個
頻道,測試方法依據 3GPP2 C.S0011-A 最新版本之相關規
定。
2.檢驗項目 7 及 8 項,申請者提出符合電信終端設備審驗
辦法規定之檢驗報告或驗證證明書。
3.手持式行動電話機(以下簡稱手機)應附充電器及充電線組
併同送檢,並符合檢驗項目 7 至 12;但已併同手機送檢
取得審定證明之充電器及充電線組,得檢附審定證明及測試
報告免驗檢測項目 10 至 12;非手持式行動電話機免驗檢
驗項目 9 至 12。
3.4.2 指定資料
┌──┬──────┬───────────┬─────┐
│項次│ 資料內容 │說 明│備 註│
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│1 │電磁波能量比│生物體局部組織 SAR(最│申請者提出│
│ │吸收率 │大值):≦ 2.0 W/Kg (│測試報告及│
│ │SAR (非手持│10 g) │測試數據 │
│ │式免驗) │ │ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│2 │電磁波警語標│警語內容:「減少電磁波│驗證時說明│
│ │示 │影響,請妥適使用」 │書如為英文│
│ │ │標示方式:設備本體適當│,申請者須│
│ │ │位置標示,且於設備外包│提出保證書│
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│3 │SAR 標示 │SAR 內容:「SAR 標準值│申請者提出│
│ │ │2.0 W/Kg;送測產品實測│保證書 │
│ │ │值為:______W/Kg」 │ │
│ │ │標示方式:設備本體適當│ │
│ │ │位置標示,且於設備外包│ │
│ │ │裝及使用說明書上標明。│ │
├──┼──────┼───────────┼─────┤
│4 │驗證機構之設│符合 3GPP2 認可規定之│註明符合 3│
│ │備驗證合格文│驗證機構核發設備驗證合│GPP2 標準│
│ │件影本 │格文件影本 │編號及驗證│
│ │ │ │領域 │
└──┴──────┴───────────┴─────┘
註:1.上述國家通訊傳播委員會指定資料,係依據電信終端設備審
驗辦法第 10、12 條第 1 項第 7 款規定。
2.比吸收率(SAR, Specific Absorption Rate) 之標準值係
採用中華民國國家標準(CNS 14959) :時變電場、磁場及
電磁場曝露之限制值(300 GHz 以下),並採用中華民國國
家標準(CNS14958-1):人體曝露於手持式及配載式無線裝
置之射頻場-人體模型、儀器及程序-第 1 部:使用時靠
近耳朵之手持式裝置(頻率介於 300 MHz 至 3 GHz)之比
吸收率(SAR) 量測程序。相對應國際標準 IEC 62209-1
及 IEEE Std 1528 適用至 101 年 6 月 30 日止。